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Photo mask 공정 Flow

EXPOSURE (노광)

  • Pattern Generator를 이용하여 필요한 부분 PR의 특성을 선택적으로
    변형시키는 공정
  • Source : Ebeam (전자), Laser (광자)

DEVELOP (현상)

  • 선택적으로 노광 된 영역의 RESIST를 제거하는 공정
  • 방식 : Spin Develop / Puddle Develop 방식
  • Develop / rinse 과정으로 구성
  • Chamber의 온/습도 관리가 필요
  • Nozzle type : Fan spray / Binary / Puddle

BAKE

  • 잔류 Solvent(Developer/Rinse액) 제거, Cr과 P/R Adhesion향상, P/R 경화 등의
    목적으로 실시하는 공정
  • 방법 : Hot Plate를 이용하여 열을 가하는 방식

DESCUM

  • Scum을 제거, P/R 및 Cr Layer를 친수성으로 바꾸는 공정
    (Etchant가 잘 스며들도록 하기 위함)

ETCHING (식각)

  • P/R이 제거된 부분의 Cr을 제거하는 공정
  • 방법 : Wet / Dry Etching

STRIP

  • 잔여 P/R을 제거하는 공정
  • Strip한 후 DI(순수)를 이용하여 Rinsing을 한다.

DRY

  • Strip후 남아 있는 DI를 제거하여 건조시키는 공정
  • 방법 : IPA를 고온으로 가열하여 DI 제거

CD 측정

  • CD(Critical Dimension)를 측정하여 정해진 Target과 일치 여부를 확인하는 공정
  • Mean To Target : 측정한 값의 평균치가 Target에서 벗어난 정도
  • Uniformity : 측정한 값의 분포 정도 (Range / 3-Sigma값 등으로 표현)